[电子]?栅氧化层
栅隧穿电流分量研究_电子行业学术文章_质量学术文章_电子质量E周刊 关键词: MOS器件;栅氧化层;隧穿 [gap=480]Key words: MOS devices;gate oxide;tunneling
?闸极氧化层
为此,晶圆厂已尝试运用包括减少导线间闸极氧化层(Gate Oxide),或在16及14纳米制程增加动态电力密度,甚至采用更大型、更昂贵的次世代制程因应越趋复杂的设计,以解决秏电问题。
?以及氧化栅极
为节制电流的结晶体管门(transistor gate)以及氧化栅极(gate oxide)间隔将很是贴近,因此, 将发生电子漂移征象 ( electrons drift )如果发生这类情况,结晶体管会失去靠患上住性,缘故原由是结晶体...
?门氧化物
... 选通脉冲宽度, 门信号宽度 gate length 门氧化物 gate oxide 门交换 gate swap ...
栅氧化层缺陷
栅极氧化层的完整性 ; 完整性 ; 门氧化层完整性
门极氧化炉
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