?闸极漏电流
...次工程的技术,在维持各式深次微米制程的驱动电流(drive current)之际,可减少N型电晶体(NMOS)的 闸极漏电流 ( gate leakage )高达70%,P型电晶体(PMOS)的部份则高达90%。
?高温
... 破坏边际曲线试验(D.B.C) 高温/高电场诱发闸极漏电实验(Gate Leakage) 耐热与焊锡性试验(Solderability Test) ...
漏电流 ; 栅极漏电流
栅漏
导叶漏水试验
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