?全硅化

英特尔推出一种包含全硅化(FUSI)镍电极的45nm节点技术，并将由FUSI天生的金属与单轴应变硅沟道相结合，硅化电极进步了电荷密度，应变硅增强了载流子迁移率，从而...

?全硅化物

本文在Ni全硅化物（FUSI）金属栅MOS结构上用双频率技术分别采用三元和四元模型进行了测量，结果表明，三元模型测量得到MOS电容仍具有一定的频率依赖性，而...

?完全硅化

...学可视性缺陷(NVD)检测技术与先进半导体制程，这些材料与制程包括高介电常数与低介电常数材料、原子层沈积(ALD)、完全硅化(FUSI)金属闸极，以及清洗技术。

?富士

三菱(MITSUBISHI),富士(FUSI),东芝(TOSHIBA),三社 (SANREX),三垦(SANKEN),西门子(SIEMENS),西门康(SEMIKRON),日立(HITACHI),艾赛斯(IXYS),IR,欧派克(EUPEC) A...