?电子轰击
质谱条件：电离方式为电子轰击（Electron Impact， EI），电子能量70 eV，灯丝发射电流为200 A，离子源温 度为200℃，接口温度250℃。
?电子撞击
在 气相层析质谱上利用样品不同的離子化方式：电子撞击 (electron impact)、CH 4 为反应气体之正離子化学離子化 (positive chemical ionization)以及负離子化学離子化 (negative chemical ionization)，配...
?电子轰击源
...茂刑咨觅岸绵宰夹葡昌绊掺萨拂净瑰倦雕廉芍察擒饺浓很桃封舌橱姚鹤逛拌棘撂采严粘故票开 质谱条件 电子轰击源（Electron Impact, EI），电子 能量为 70 eV，离子源温度 200℃，接口温度 280℃。
电子轰击离子源 ; 电子碰撞离子源 ; 电子轰击源
电子碰撞解吸 ; 电子轰击解吸
电子轰击离子化 ; 电子轰击电离 ; 物 电子碰撞电离 ; 电子轰击离子源
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