?器件
因为AlN和GaN的宽禁带、高熔点和高发光强度而成为发光二极管和电致发光器件(ELDs)的理想材料。近十年来稀土(RE)和过渡金属(TM)掺杂的III-V族半导体薄膜由于具有强烈的发光特性而成为研究的重点。
?外部合宜性驱动力
我们将VA的制度性驱 动力分为外部合宜性驱动力(external legitimacy drivers,ELDs)和内部合宜性驱动力 (internal legitimacy drivers,ILDs)。
?动力分为外部合宜性驱动力
焊缝中的夹渣
隐条件随机场
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