[电子]?位线
半导体存储器的分类、结构和性能探讨_笨笨兔的脚印_百度空间 译码器、读出放大器、列译码器和输出缓冲器等组成。 各个存储单元处在字线(WL,word line)与位线(BL,bit line)的交点上。如果存储器有N个地址码输入端,则该存储器就具有2N比特的存储容量;若存储器阵列有2n根字线
?与位线
?在位线
NAND制程大进展:采用气隙技术之产品已上市 - 新闻资讯 其内存单元的半间距(half-pitch),在字符线(word line,WL)方向为24.5纳米,在位线(bit line,BL)方向为28.5纳米,内存单元尺寸为0.0028μm2。 该论文内容指出,此内存单元是利用湿式193纳
?根位线
...体存储器-电子维基-技术资料-华强电子网 的存储器阵列(memory array)中,有2n根字线(word line, WL)和 2N-n 根位线(bit line, BL)相互垂直交叉排列;在每一个字线和位线的交叉点上接有存储单元即元器件;在读出数据时,首先由行译码器选择...
符号位导线遥测
数码位线 ; 数字位线
分级位线
英汉双解词典包含3185865条英汉词条,基本涵盖了全部常用单词的翻译及用法,是英语学习的有利工具。